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MRFE6VP5300NR1

MRFE6VP5300NR1

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管, 射频FET, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB

RF Mosfet LDMOS(双) 50 V 100 mA 230MHz 27dB 300W TO-270 WB-4


立创商城:
MRFE6VP5300NR1


得捷:
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270


e络盟:
晶体管, 射频FET, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH -0.5V/133V 4-Pin TO-270WB T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1736


MRFE6VP5300NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

针脚数 4

耗散功率 909 W

漏源极电压Vds 140 V

输出功率 300 W

增益 27 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 168pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 909000 mW

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 TO-270

外形尺寸

封装 TO-270

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRFE6VP5300NR1引脚图与封装图
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在线购买MRFE6VP5300NR1
型号 制造商 描述 购买
MRFE6VP5300NR1 NXP 恩智浦 晶体管, 射频FET, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB 搜索库存
替代型号MRFE6VP5300NR1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MRFE6VP5300NR1

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT1736

当前型号

晶体管, 射频FET, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB

当前型号

型号: MV54919MP91

品牌: 安森美

封装:

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