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MMRF1024HSR5

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 230W, Typ Gain in dB is 14.1 @ 2496MHz, 28V, LDMOS, SOT1800

RF Mosfet LDMOS Dual 28V 700mA 2.5GHz 14.1dB 50W NI-1230-4LS2L


得捷:
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4


艾睿:
RF POWER LDMOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT--MODE LATERAL MOSFET


RfMW:
RF Power Transistor,2496 to 2690 MHz, 230 W, Typ Gain in dB is 14.1 @ 2496 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1800


MMRF1024HSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5 GHz

输出功率 50 W

增益 14.1 dB

测试电流 700 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 NI-1230-4LS2L

外形尺寸

封装 NI-1230-4LS2L

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1024HSR5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MMRF1024HSR5 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 230W, Typ Gain in dB is 14.1 @ 2496MHz, 28V, LDMOS, SOT1800 搜索库存