MMRF1022HSR5

NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 301W, Typ Gain in dB is 16.2 @ 2140MHz, 28V, LDMOS, SOT1800

RF Mosfet LDMOS Dual 28V 500mA 2.14GHz 16.2dB 63W NI-1230-4LS2L

得捷:
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4

艾睿:
RF POWER LDMOS TRANSISTOR

RfMW:
RF Power Transistor,2110 to 2170 MHz, 301 W, Typ Gain in dB is 16.2 @ 2140 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1800

MMRF1022HSR5中文资料参数规格

技术参数

频率 2.14 GHz

输出功率 63 W

增益 16.2 dB

测试电流 500 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 NI-1230-4LS2L

外形尺寸

封装 NI-1230-4LS2L

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1022HSR5引脚图与封装图

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MMRF1022HSR5	NXP 恩智浦	RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 301W, Typ Gain in dB is 16.2 @ 2140MHz, 28V, LDMOS, SOT1800	搜索库存