MRF8P23080HSR3

NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF FET V8 2.3GHZ 80W NI780S-4

RF Mosfet LDMOS Dual 28V 280mA 2.3GHz 14.6dB 16W NI-780S-4

得捷:
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF FET V8 2.3GHZ 80W NI780S-4

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 4-Pin Case 465H-02 T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R

MRF8P23080HSR3中文资料参数规格

技术参数

频率 2.3 GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 16 W

增益 14.6 dB

测试电流 280 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 NI-780S-4

外形尺寸

封装 NI-780S-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRF8P23080HSR3引脚图与封装图

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