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MMRF1020-04NR3

MMRF1020-04NR3

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,720 to 960MHz, 200W, Typ Gain in dB is 19.5 @ 920MHz, 48V, LDMOS, SOT1818

RF Mosfet LDMOS Dual 48V 860mA 920MHz 19.5dB 100W OM780-4


得捷:
RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780-4


立创商城:
MMRF1020-04NR3


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin OM-780 EP T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin OM-780 EP T/R


RfMW:
RF Power Transistor,720 to 960 MHz, 200 W, Typ Gain in dB is 19.5 @ 920 MHz, 48 V, LDMOS, SOT1818


MMRF1020-04NR3中文资料参数规格
技术参数

频率 920 MHz

输出功率 100 W

增益 19.5 dB

测试电流 860 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 105 V

电源电压 48 V

封装参数

引脚数 5

封装 OM-780

外形尺寸

封装 OM-780

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMRF1020-04NR3引脚图与封装图
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在线购买MMRF1020-04NR3
型号 制造商 描述 购买
MMRF1020-04NR3 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,720 to 960MHz, 200W, Typ Gain in dB is 19.5 @ 920MHz, 48V, LDMOS, SOT1818 搜索库存