MRF7S21150HSR3

NXP(恩智浦) 分立器件

Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 44W Avg., 28V

RF Mosfet LDMOS 28V 1.35A 2.11GHz ~ 2.17GHz 17.5dB 44W NI-780S

得捷:
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R

MRF7S21150HSR3中文资料参数规格

技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

额定电流 10 µA

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 44 W

增益 17.5 dB

测试电流 1.35 A

输入电容Ciss 320pF @28VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 NI-780S

外形尺寸

封装 NI-780S

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRF7S21150HSR3引脚图与封装图

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MRF7S21150HSR3	NXP 恩智浦	Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 44W Avg., 28V	搜索库存