M41T56M6E中文资料参数规格
技术参数
频率 32768 Hz
电源电压DC 5.50V max
RAM大小 56 B
耗散功率 250 mW
内存容量 64 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 250 mW
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
M41T56M6E引脚图与封装图 
M41T56M6E引脚图
M41T56M6E封装图
M41T56M6E封装焊盘图
替代型号M41T56M6E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M41T56M6E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 5.5V 8Pin | 当前型号 | NVRAM,无铅,管装 | 当前型号 |
| 型号： M41T56M6TR 品牌： 意法半导体 封装： SOP | 完全替代 | 512位（ 64位×8 ）串行存取TIMEKEEPER SRAM 512 bit 64 bit x8 Serial Access TIMEKEEPER SRAM | M41T56M6E和M41T56M6TR的区别 |
| 型号： M41T56M6F 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 4.5V 8Pin | 类似代替 | STMICROELECTRONICS M41T56M6F 芯片, 实时时钟, I2C, 56B NVRAM, 8-SO, 卷装 | M41T56M6E和M41T56M6F的区别 |
| 型号： M41T56M6 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 32.8kHz 8Pin | 功能相似 | 512位（ 64位×8 ）串行存取TIMEKEEPER SRAM 512 bit 64 bit x8 Serial Access TIMEKEEPER SRAM | M41T56M6E和M41T56M6的区别 |