MIXA80W1200TED
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 390 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 390 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装 E2-Pack
封装 E2-Pack
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MIXA80W1200TED | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 120A Box | 搜索库存 |