MIO1200-33E11
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MIO1200-33E11中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 3300 V
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 9
封装 E11
外形尺寸
高度 38 mm
封装 E11
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MIO1200-33E11引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MIO1200-33E11 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 3.3kV 1.2kA 9Pin | 搜索库存 |