MWI60-12T6K

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 1200V 58A 200000mW 24Pin E1-Pack

IGBT 模块沟道三相反相器底座安装 E1

得捷:
IGBT MODULE 1200V 58A 200W E1

贸泽:
Discrete Semiconductor Modules 60 Amps 1200V

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 58A 24-Pin E1-Pack

MWI60-12T6K中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2.53nF @25V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 24

封装 E1-Pack

外形尺寸

封装 E1-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MWI60-12T6K引脚图与封装图

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