MIXA225RF1200TSF
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MIXA225RF1200TSF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.1 kW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 1100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1100000 mW
封装参数
封装 Module
外形尺寸
封装 Module
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MIXA225RF1200TSF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MIXA225RF1200TSF | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 360A 1100000mW | 搜索库存 |