MDI550-12A4
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IXYS Semiconductor
分立器件
MDI550-12A4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2750000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 26nF @25V
额定功率Max 2750 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2750000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 5
封装 Y3-DCB
外形尺寸
封装 Y3-DCB
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MDI550-12A4引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MDI550-12A4 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 670A 2750000mW 5Pin Y3-DCB | 搜索库存 |