MUBW6-06A6
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IXYS Semiconductor
分立器件
MUBW6-06A6中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 38000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies .34nF @25V
额定功率Max 38 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 38000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 25
封装 E1
外形尺寸
高度 17.1 mm
封装 E1
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUBW6-06A6引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUBW6-06A6 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 600V 7A 38000mW 25Pin | 搜索库存 |