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MUBW35-12A7

MUBW35-12A7

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

MUBW 系列 1200 Vce 50 A 100 ns ton 制动斩波器 / 3 相逆变器

IGBT 模块 NPT 三相反相器,带制动器 底座安装 E2


得捷:
IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2


艾睿:
This secure and fast MUBW35-12A7 infineon IGBT module from Ixys Corporation is perfect for your circuit. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 225000 mW. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. It is made in a hex configuration.


MUBW35-12A7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 225000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1.65nF @25V

额定功率Max 225 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 225000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 24

封装 E2

外形尺寸

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MUBW35-12A7引脚图与封装图
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