MWI30-06A7T
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IXYS Semiconductor
分立器件
MWI30-06A7T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 140 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 1.6nF @25V
额定功率Max 140 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 140000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 18
封装 E2-18
外形尺寸
长度 107.5 mm
宽度 45 mm
高度 17 mm
封装 E2-18
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MWI30-06A7T引脚图与封装图
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在线购买MWI30-06A7T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MWI30-06A7T | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 600V 45A 140000mW 18Pin E2 | 搜索库存 |