MUBW35-12A8
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IXYS Semiconductor
分立器件
MUBW35-12A8中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 225000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 1.65nF @25V
额定功率Max 225 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 225000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 24
封装 E3
外形尺寸
封装 E3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUBW35-12A8引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUBW35-12A8 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin | 搜索库存 |