MIXA30W1200TED
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MIXA30W1200TED中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
引脚数 28
封装 E2-Pack
外形尺寸
封装 E2-Pack
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MIXA30W1200TED引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MIXA30W1200TED | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 43A 150000mW Box | 搜索库存 |