MWI100-12T8T
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IXYS Semiconductor
分立器件
MWI100-12T8T中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 7.21nF @25V
额定功率Max 480 W
封装参数
安装方式 Chassis
封装 E3
外形尺寸
封装 E3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MWI100-12T8T引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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