MIXA81WB1200TEH
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 290 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 390 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装 E3-Pack
封装 E3-Pack
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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