锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MUBW35-06A6K

MUBW35-06A6K

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 600V 42A 130000mW 25Pin

IGBT 模块 NPT 三相反相器,带制动器 底座安装 E1


得捷:
IGBT MODULE 600V 42A 130W E1


艾睿:
The MUBW35-06A6K infineon IGBT module from Ixys Corporation is perfect to use as an electronic switch eliminating the current at the gate. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 130000 mW. It is made in a hex configuration. This IGBT driver board has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C.


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 600V 42A 130000mW 25-Pin


MUBW35-06A6K中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 130000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.6nF @25V

额定功率Max 130 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 130000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 25

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUBW35-06A6K引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MUBW35-06A6K
型号 制造商 描述 购买
MUBW35-06A6K IXYS Semiconductor Trans IGBT Module N-CH 600V 42A 130000mW 25Pin 搜索库存