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MIXA150Q1200VA

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Igbt Module 1200V 150A Hex

IGBT 模块 PT 单路 1200 V 220 A 695 W 底座安装 V1A-PAK


得捷:
IGBT MOD 1200V 220A 695W V1A-PAK


贸泽:
IGBT Modules XPT IGBT Module


MIXA150Q1200VA中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 695 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 695 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

封装 V1-A-Pack

外形尺寸

封装 V1-A-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MIXA150Q1200VA引脚图与封装图
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