MIXA61H1200ED
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MIXA61H1200ED中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 290000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 290 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 290000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 E2-Pack
外形尺寸
封装 E2-Pack
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MIXA61H1200ED引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MIXA61H1200ED
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MIXA61H1200ED | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 290000mW 12Pin Box | 搜索库存 |