MIXA60WB1200TEH

IXYS Semiconductor 分立器件

Igbt Module 1200V 60A

IGBT 模块 PT 三相反相器，带制动器 1200 V 85 A 290 W 底座安装 E3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 85A 290W E3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 290000mW 24-Pin Box

MIXA60WB1200TEH中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 290 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 290000 mW

封装参数

引脚数 24

封装 E3

外形尺寸

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MIXA60WB1200TEH引脚图与封装图

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