MID150-12A4

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 5Pin Y3-DCB

IGBT 模块 NPT 单路 1200 V 180 A 760 W 底座安装 Y3-DCB

得捷:
IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB

贸泽:
IGBT Modules 150 Amps 1200V

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 5-Pin Y3-DCB

MID150-12A4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 760 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 6.6nF @25V

额定功率Max 760 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 760000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 5

封装 Y3-DCB-5

外形尺寸

长度 110 mm

宽度 62 mm

高度 30 mm

封装 Y3-DCB-5

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MID150-12A4引脚图与封装图

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