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MDI200-12A4

MDI200-12A4

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IGBT 模块,IXYS### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块,IXYS

### IGBT 分立元件和模块,IXYS

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB


欧时:
1200V 270A IGBT Buck Chopper Package NPT


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 270 A, 2.2 V, 1.13 kW, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 270A 7-Pin Y3-DCB


MDI200-12A4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 11

耗散功率 1.13 kW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 11nF @25V

额定功率Max 1130 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1130000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 Y3-DCB

外形尺寸

长度 110 mm

宽度 62 mm

高度 30 mm

封装 Y3-DCB

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MDI200-12A4引脚图与封装图
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MDI200-12A4 IXYS Semiconductor IGBT 模块,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存