MDI200-12A4
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
针脚数 11
耗散功率 1.13 kW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 11nF @25V
额定功率Max 1130 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1130000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 7
封装 Y3-DCB
长度 110 mm
宽度 62 mm
高度 30 mm
封装 Y3-DCB
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MDI200-12A4 | IXYS Semiconductor | IGBT 模块,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |