MUBW50-12A8
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MUBW50-12A8中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 350000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.3nF @25V
额定功率Max 350 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 350000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 24
封装 E3
外形尺寸
封装 E3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUBW50-12A8引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MUBW50-12A8
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUBW50-12A8 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 24Pin | 搜索库存 |
替代型号MUBW50-12A8
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUBW50-12A8 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 350000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 24Pin | 当前型号 |
| 型号： MUBW50-12E8 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 | 功能相似 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 24Pin | MUBW50-12A8和MUBW50-12E8的区别 |
| 型号： MUBW35-12E7 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E2 | 功能相似 | MODULE IGBT CBI E2 | MUBW50-12A8和MUBW35-12E7的区别 |