MIXA40W1200TED
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MIXA40W1200TED中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 195 W
封装参数
封装 E2-Pack
外形尺寸
封装 E2-Pack
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MIXA40W1200TED引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MIXA40W1200TED
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MIXA40W1200TED | IXYS Semiconductor | Igbt Module 1200V 40A | 搜索库存 |