MUBW100-06A8
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 410000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 4.3nF @25V
额定功率Max 410 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 410000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 24
封装 E3
封装 E3
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MUBW100-06A8 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 600V 125A 410000mW 24Pin | 搜索库存 |