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MUBW20-06A6K

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数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 85000mW 25Pin Case E-1

Use the infineon IGBT module from Ixys Corporation when working with an electronic switch. Its maximum power dissipation is 85000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. It is made in a hex configuration.


得捷:
IGBT MODULE 600V 25A 85W E1


贸泽:
Discrete Semiconductor Modules 20 Amps 600V


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 25A 85000mW 25-Pin Case E-1


MUBW20-06A6K中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 85000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies .8nF @25V

额定功率Max 85 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 85000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 25

封装 E-1

外形尺寸

封装 E-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUBW20-06A6K引脚图与封装图
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