MUBW50-06A8
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 2.8nF @25V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Screw
引脚数 24
封装 E3
高度 17 mm
封装 E3
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MUBW50-06A8 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 250000mW 24Pin | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MUBW50-06A8 品牌: IXYS Semiconductor 封装: E3 250000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 250000mW 24Pin | 当前型号 |