MWI100-12A8
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IXYS Semiconductor
分立器件
MWI100-12A8中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 640000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 6.5nF @25V
额定功率Max 640 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 640000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 19
封装 E3
外形尺寸
高度 17 mm
封装 E3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MWI100-12A8引脚图与封装图
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在线购买MWI100-12A8
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MWI100-12A8 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640000mW 19Pin | 搜索库存 |
替代型号MWI100-12A8
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MWI100-12A8 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 640000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640000mW 19Pin | 当前型号 |
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