MIO1800-17E10
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1700 V
输入电容Cies 166nF @25V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Chassis
引脚数 9
封装 E-10
高度 28 mm
封装 E-10
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MIO1800-17E10 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 1.8kA 9Pin Case E-10 | 搜索库存 |