MWI80-12T6K
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 270000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.6nF @25V
额定功率Max 270 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 270000 mW
安装方式 Screw
引脚数 24
封装 E1
封装 E1
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MWI80-12T6K | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 270000mW 24Pin | 搜索库存 |