MIEB101W1200EH
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MIEB101W1200EH中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 630 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 7.43nF @25V
额定功率Max 630 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 630000 mW
封装参数
封装 E3-Pack
外形尺寸
封装 E3-Pack
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MIEB101W1200EH引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MIEB101W1200EH
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MIEB101W1200EH | IXYS Semiconductor | Igbt Module 1200V 183A Hex | 搜索库存 |
替代型号MIEB101W1200EH
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MIEB101W1200EH 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 | 当前型号 | Igbt Module 1200V 183A Hex | 当前型号 |
| 型号： MWI100-12E8 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 | 功能相似 | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 | MIEB101W1200EH和MWI100-12E8的区别 |
