MIEB101H1200EH
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IXYS Semiconductor
分立器件
MIEB101H1200EH中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 630 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 7.43nF @25V
额定功率Max 630 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 630000 mW
封装参数
引脚数 14
封装 E-3
外形尺寸
封装 E-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MIEB101H1200EH引脚图与封装图
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在线购买MIEB101H1200EH
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MIEB101H1200EH | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14Pin Case E-3 Box | 搜索库存 |
替代型号MIEB101H1200EH
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MIEB101H1200EH 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 630000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14Pin Case E-3 Box | 当前型号 |
| 型号： MKI100-12E8 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 | 类似代替 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 165A 14Pin E3 | MIEB101H1200EH和MKI100-12E8的区别 |