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MUBW10-06A6K

MUBW10-06A6K

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 50000mW 25Pin

This secure and fast infineon IGBT module from Ixys Corporation is perfect for your circuit. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 50000 mW. It is made in a hex configuration. This IGBT driver board has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.


得捷:
IGBT MODULE 600V 11A 50W E1


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 25-Pin


MUBW10-06A6K中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 50000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies .22nF @25V

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 25

封装 E1

外形尺寸

封装 E1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MUBW10-06A6K引脚图与封装图
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