MUBW10-06A6K
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 50000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies .22nF @25V
额定功率Max 50 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 50000 mW
安装方式 Chassis
引脚数 25
封装 E1
封装 E1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MUBW10-06A6K | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 50000mW 25Pin | 搜索库存 |