MIXA80WB1200TEH
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IXYS Semiconductor
分立器件
MIXA80WB1200TEH中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 390 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 390000 mW
封装参数
引脚数 24
封装 E3
外形尺寸
封装 E3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MIXA80WB1200TEH引脚图与封装图
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在线购买MIXA80WB1200TEH
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MIXA80WB1200TEH | IXYS Semiconductor | IGBT MODULE 1200V 84A | 搜索库存 |
替代型号MIXA80WB1200TEH
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MIXA80WB1200TEH 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 | 当前型号 | IGBT MODULE 1200V 84A | 当前型号 |
| 型号： MIXA30WB1200TED 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 类似代替 | Igbt Module 1200V 30A | MIXA80WB1200TEH和MIXA30WB1200TED的区别 |