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MKI50-06A7

MKI50-06A7

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

对不起 您的请求暂时未被执行 | ---|--- ### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。对不起 您的请求暂时未被执行 | ---|---

IGBT 模块,IXYS

### IGBT 分立元件和模块,IXYS

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


得捷:
IGBT MODULE 600V 72A 225W E2


欧时:
600V 72A IGBT HBridge CBI 2 package NPT


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 1.9 V, 225 W, 600 V, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 72A 12-Pin E2


MKI50-06A7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 17

耗散功率 225 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 2.8nF @25V

额定功率Max 225 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 225000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 E2-12

外形尺寸

长度 107.5 mm

宽度 45 mm

高度 17 mm

封装 E2-12

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MKI50-06A7引脚图与封装图
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MKI50-06A7 IXYS Semiconductor 对不起 您的请求暂时未被执行 | ---|--- ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 对不起 您的请求暂时未被执行 | ---|--- 搜索库存