MMIX4B20N300

IXYS Semiconductor 分立器件

MOSFET N-CH

IGBT Array Full Bridge 3000V 34A 150W Surface Mount 24-SMPD

得捷:
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 34A 150000mW SMPD

MMIX4B20N300中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 3000 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-24

外形尺寸

封装 SMD-24

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMIX4B20N300引脚图与封装图

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