MMIX1T550N055T2
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IXYS Semiconductor
分立器件
MMIX1T550N055T2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 830 W
阈值电压 3.8 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 550A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 40000pF @25VVds
下降时间 230 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 24
封装 SMPD-24
外形尺寸
长度 25.25 mm
宽度 23.25 mm
高度 5.7 mm
封装 SMPD-24
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMIX1T550N055T2引脚图与封装图
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在线购买MMIX1T550N055T2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMIX1T550N055T2 | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列 | 搜索库存 |
替代型号MMIX1T550N055T2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMIX1T550N055T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SMPD-24 N-CH 55V 550A | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列 | 当前型号 |
| 型号： IXTN550N055T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT N-CH 55V 550A | 功能相似 | SOT-227B N-CH 55V 550A | MMIX1T550N055T2和IXTN550N055T2的区别 |
| 型号： N550 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 550A ID, 55V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MINI BLOC, 4 PIN | MMIX1T550N055T2和N550的区别 |