MWI50-06A7
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IXYS Semiconductor
分立器件
MWI50-06A7中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.6 V
耗散功率 225000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 2.8nF @25V
额定功率Max 225 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 225000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 18
封装 E2
外形尺寸
封装 E2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MWI50-06A7引脚图与封装图
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在线购买MWI50-06A7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MWI50-06A7 | IXYS Semiconductor | MWI50 系列 600 Vce 72 A 50 ns ton IGBT 模块 SixPack | 搜索库存 |
替代型号MWI50-06A7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MWI50-06A7 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E2 225000mW | 当前型号 | MWI50 系列 600 Vce 72 A 50 ns ton IGBT 模块 SixPack | 当前型号 |
| 型号： MWI75-06A7 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E2 280000mW | 类似代替 | Trans IGBT Module N-CH 600V 90A 280000mW 18Pin E2 | MWI50-06A7和MWI75-06A7的区别 |
| 型号： MG75J6ES50 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS | MWI50-06A7和MG75J6ES50的区别 |
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