MIXA150R1200VA

IXYS Semiconductor 分立器件

Igbt Module 1200V 150A Hex

IGBT 模块 PT 单路 1200 V 220 A 695 W 底座安装 V1A-PAK

得捷:
IGBT MOD 1200V 220A 695W V1A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 250A 695000mW V1-A-Pack Box

MIXA150R1200VA中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 695 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 695000 mW

封装参数

封装 V1-A-Pack

外形尺寸

封装 V1-A-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MIXA150R1200VA引脚图与封装图

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