MKI100-12F8

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 640000mW 14Pin

IGBT 模块 NPT 全桥反相器 1200 V 125 A 640 W 底座安装 E3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3

贸泽:
IGBT Modules 100 Amps 1200V

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 640000mW 14-Pin E3

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 640000mW 14-Pin E3

AMEYA360:
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3

MKI100-12F8中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 640 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 6.5nF @25V

额定功率Max 640 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 640000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 14

封装 E3-Pack

外形尺寸

长度 122 mm

宽度 62 mm

高度 17 mm

封装 E3-Pack

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MKI100-12F8引脚图与封装图

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