MWI75-12T7T
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IXYS Semiconductor
分立器件
MWI75-12T7T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 355000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 5.35nF @25V
额定功率Max 355 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 355000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 28
封装 E2
外形尺寸
封装 E2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MWI75-12T7T引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MWI75-12T7T | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 28Pin Box | 搜索库存 |