MKE11R600DCGFC
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MKE11R600DCGFC中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 2000pF @100VVds
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-i4-5
外形尺寸
封装 ISOPLUS-i4-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MKE11R600DCGFC引脚图与封装图
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在线购买MKE11R600DCGFC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MKE11R600DCGFC | IXYS Semiconductor | MOSFET CoolMOS Power Mosfet 600V 15A | 搜索库存 |
替代型号MKE11R600DCGFC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MKE11R600DCGFC 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS-i4-5 | 当前型号 | MOSFET CoolMOS Power Mosfet 600V 15A | 当前型号 |
| 型号： FDM15-06KC5 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS-i4-5 | 类似代替 | Mosfet n-Ch 600V 15A I4-Pac-5 | MKE11R600DCGFC和FDM15-06KC5的区别 |
| 型号： IXKC15N60C5 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 功能相似 | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | MKE11R600DCGFC和IXKC15N60C5的区别 |
