MMIX1F520N075T2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
针脚数 21
漏源极电阻 0.0016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 500A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 41000pF @25VVds
额定功率Max 830 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 21
封装 SMPD-24
长度 25.25 mm
宽度 23.25 mm
高度 5.7 mm
封装 SMPD-24
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MMIX1F520N075T2 | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |