MMIX1X100N60B3H1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 140 ns
额定功率Max 400 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 21
封装 BESOP-24
封装 BESOP-24
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MMIX1X100N60B3H1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 21Pin SMD | 搜索库存 |