MT41K512M8RH-125:E

Micron(镁光) 电子元器件分类

DDR3 512Mx8, 1600MHz, FBGA78, 1.35V/1.5V, leadfree

SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA 9x10.5

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MT41K512M8RH-125:E

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MT41K512M8RH-125:E中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.35 V

供电电流 157 mA

时钟频率 800 MHz

位数 8

存取时间 13.75 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

引脚数 78

封装 FBGA-78

外形尺寸

封装 FBGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT41K512M8RH-125:E引脚图与封装图

MT41K512M8RH-125:E引脚图

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MT41K512M8RH-125:E	Micron 镁光	DDR3 512Mx8, 1600MHz, FBGA78, 1.35V/1.5V, leadfree	搜索库存

替代型号MT41K512M8RH-125:E

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT41K512M8RH-125:E 品牌： Micron 镁光封装： FBGA	当前型号	DDR3 512Mx8, 1600MHz, FBGA78, 1.35V/1.5V, leadfree	当前型号
型号： MT41K512M8RH-107:E 品牌：镁光封装： FBGA	完全替代	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin FBGA	MT41K512M8RH-125:E和MT41K512M8RH-107:E的区别
型号： MT41K512M8RA-15E:D 品牌：镁光封装： FBGA	完全替代	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512Mx8 1.35V 78Pin FBGA	MT41K512M8RH-125:E和MT41K512M8RA-15E:D的区别
型号： MT41K512M8DA-107:P 品牌：镁光封装： FBGA	类似代替	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin FBGA	MT41K512M8RH-125:E和MT41K512M8DA-107:P的区别