M45PE16-VMW6TG
数据手册.pdf
Micron
镁光
主动器件
M45PE16-VMW6TG中文资料参数规格
技术参数
工作电压 2.7V ~ 3.6V
位数 8
内存容量 2000000 B
存取时间Max 8 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.3 V
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
M45PE16-VMW6TG引脚图与封装图 
M45PE16-VMW6TG引脚图
M45PE16-VMW6TG封装图
M45PE16-VMW6TG封装焊盘图
在线购买M45PE16-VMW6TG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M45PE16-VMW6TG | Micron 镁光 | M45PE16-VMW6TG 编带 | 搜索库存 |
替代型号M45PE16-VMW6TG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M45PE16-VMW6TG 品牌： Micron 镁光 封装： SOP 2000000B | 当前型号 | M45PE16-VMW6TG 编带 | 当前型号 |
| 型号： AT45DB161E-SHD-B 品牌： 爱特美尔 封装： SOIC-8 2000000B 8Pin | 类似代替 | Atmel | M45PE16-VMW6TG和AT45DB161E-SHD-B的区别 |
| 型号： AT45DB161E-SSHD-B 品牌： 爱特美尔 封装： SOIC 2000000B 8Pin | 类似代替 | Atmel### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。 | M45PE16-VMW6TG和AT45DB161E-SSHD-B的区别 |
| 型号： M25P16-VMN6P 品牌： 镁光 封装： NSOIC 2000000B 2.7V 8Pin | 功能相似 | MICRON M25P16-VMN6P 闪存, 16 Mbit, 2M x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, NSOIC, 8 引脚 | M45PE16-VMW6TG和M25P16-VMN6P的区别 |