MT41K256M16HA-125:E

Micron(镁光) 电子元器件分类

MT41K256M16HA-125:E TR 编带

SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb 256M x 16 Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA 9x14

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IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

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DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin FBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin FBGA

Win Source:
IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA

MT41K256M16HA-125:E中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.35 V

时钟频率 800 MHz

位数 16

存取时间 13.75 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

引脚数 96

封装 TFBGA-96

外形尺寸

封装 TFBGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

MT41K256M16HA-125:E引脚图与封装图

MT41K256M16HA-125:E引脚图

MT41K256M16HA-125:E封装图

MT41K256M16HA-125:E封装焊盘图

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替代型号MT41K256M16HA-125:E

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型号： MT41K256M16HA-125:E 品牌： Micron 镁光封装： FBGA	当前型号	MT41K256M16HA-125:E TR 编带	当前型号
型号： MT41K256M16RE-15E:D 品牌：镁光封装： FBGA	完全替代	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.35V 96Pin FBGA	MT41K256M16HA-125:E和MT41K256M16RE-15E:D的区别
型号： MT41K256M16HA-125IT:E 品牌：镁光封装： FBGA	类似代替	DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96Pin FBGA	MT41K256M16HA-125:E和MT41K256M16HA-125IT:E的区别
型号： MT41K256M16TW-107:P 品牌：镁光封装： FBGA	功能相似	SDRAM, 256M x 16bit, 2048Byte, 1.07ns, 并行接口, FBGA-96	MT41K256M16HA-125:E和MT41K256M16TW-107:P的区别